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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| configuración impulsada | High-Side or Low-Side |
| tipo de canal | Independent |
| Número de conductores | 2 |
| tipo de puerta | IGBT, N-Channel MOSFET |
| voltaje - suministro | 10V ~ 20V |
| voltaje lógico - vil, vih | 0.8V, 2.5V |
| Corriente - salida pico (fuente, sumidero) | 4A, 4A |
| tipo de entrada | Non-Inverting |
| voltaje del lado alto - máximo (bootstrap) | 600 V |
| tiempo de subida/bajada (típico) | 22ns, 18ns |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
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