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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| tipo feto | P-Channel |
| tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 100 V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 2.1A (Ta), 3.9A (Tc) |
| Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 4.5V, 10V |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 160mOhm @ 2.2A, 10V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 2V @ 1.037mA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 42 nC @ 10 V |
| vgs (máximo) | ±20V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 2100 pF @ 50 V |
| característica fet | - |
| disipación de potencia (máxima) | 1.8W (Ta), 5W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete de dispositivo del proveedor | PG-SOT223-4 |
| paquete / caja | TO-261-4, TO-261AA |
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