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SPD03N50C3BTMA1

SPD03N50C3BTMA1

SPD03N50C3BTMA1

MOSFET N-CH 560V 3.2A TO252-3

compliant

SPD03N50C3BTMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 560 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 3.2A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.9V @ 135µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 350 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO252-3-11
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

IRF7204TR
AUIRF3004WL
PSMN1R5-30BLE118
PSMN1R5-30BLE118
$0 $/pedazo
SI8415DB-T1-E1
IRFI9Z14G
IRFI9Z14G
$0 $/pedazo
IRF6612TR1PBF
IPW90R800C3FKSA1
IXFN64N50PD3
IXFN64N50PD3
$0 $/pedazo

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