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SPP16N50C3

SPP16N50C3

SPP16N50C3

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

SPP16N50C3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 500 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 16A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 280mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.9V @ 675µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 66 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1600 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 160W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
paquete / caja TO-220-3
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Número de pieza relacionado

US5U29TR
US5U29TR
$0 $/pedazo
NTF3055L108T3G
NTF3055L108T3G
$0 $/pedazo
NVD6415ANT4G-VF01
NVD6415ANT4G-VF01
$0 $/pedazo
FQU6N40CTU
GKI10194
GKI10194
$0 $/pedazo
FQPF7N40
SSM1N45BTF
SSM1N45BTF
$0 $/pedazo
FDC602P_F095
FDC602P_F095
$0 $/pedazo
SPP77N06S2-12

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