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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Not For New Designs |
| tipo feto | N-Channel |
| tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 650 V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 1.8A (Tc) |
| Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 10V |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 3Ohm @ 1.1A, 10V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 3.9V @ 80µA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 12.5 nC @ 10 V |
| vgs (máximo) | ±20V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 200 pF @ 25 V |
| característica fet | - |
| disipación de potencia (máxima) | 25W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montaje | Through Hole |
| paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO251-3-21 |
| paquete / caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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