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TLE493DP2B6MS2GOTOBO1

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TLE493DP2B6MS2GOTOBO1

TLE493DP2B6MS2GOTOBO1

Infineon Technologies

TLE493D-P2B6MS2GO KIT

TLE493DP2B6MS2GOTOBO1 Ficha de datos

compliant

TLE493DP2B6MS2GOTOBO1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $28.75000 $28.75
500 $28.4625 $14231.25
1000 $28.175 $28175
1500 $27.8875 $41831.25
2000 $27.6 $55200
2500 $27.3125 $68281.25
1 items
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Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo de sensor Magnetic, Hall Effect
rango de detección ±160mT
interfaz I²C
sensibilidad 15.4LSB/mT, 7.7LSB/mT
voltaje - suministro 2.8V ~ 3.5V
incorporado Yes, MCU, 32-Bit
Contenido suministrado Board(s)
IC utilizado / parte TLE493D-P2B6, XMC1100
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Número de pieza relacionado

EV-CBM-PIONEER1-1Z
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$0 $/pedazo
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$0 $/pedazo
KIT-19519
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$0 $/pedazo
ASEK37612-4.5MM-DK
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ASEK37612-4.5MM-DK
$0 $/pedazo
P-NUCLEO-53L4A1-
STMicroelectronics
P-NUCLEO-53L4A1-
$0 $/pedazo
EVAL-ADT7516EBZ
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$0 $/pedazo
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OV07676-EAAA-AA0A
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