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IV1D12010O2

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Inventchip

SIC DIODE, 1200V 10A, TO-220-2

no conforme

IV1D12010O2 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $11.78000 $11.78
500 $11.6622 $5831.1
1000 $11.5444 $11544.4
1500 $11.4266 $17139.9
2000 $11.3088 $22617.6
2500 $11.191 $27977.5
190 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
voltaje - cc inversa (vr) (máx.) 1200 V
Corriente media rectificada (io) 28A (DC)
voltaje - directo (vf) (máximo) @ si 1.8 V @ 10 A
velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns
corriente - fuga inversa @ vr 50 µA @ 1200 V
capacitancia @ vr, f 575pF @ 1V, 1MHz
tipo de montaje Through Hole
paquete / caja TO-220-2
paquete de dispositivo del proveedor TO-220-2
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 175°C (TJ)
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Número de pieza relacionado

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