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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| tipo de diodo | Single Phase |
| tecnología | Silicon Carbide Schottky |
| Voltaje - pico inverso (máximo) | 1.2 kV |
| Corriente media rectificada (io) | 6.6 A |
| voltaje - directo (vf) (máximo) @ si | 2.1 V @ 4 A |
| corriente - fuga inversa @ vr | 200 µA @ 1200 V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| tipo de montaje | Through Hole |
| paquete / caja | ISOPLUSi5-Pak™ |
| paquete de dispositivo del proveedor | ISOPLUS i4-PAC™ |
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