Welcome to ichome.com!
Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Obsolete |
tipo feto | N-Channel |
tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 300 V |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 52A (Tc) |
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 10V |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 60mOhm @ 500mA, 10V |
vgs(th) (máximo) @ id | 4V @ 4mA |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 150 nC @ 10 V |
vgs (máximo) | ±20V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 5300 pF @ 25 V |
característica fet | - |
disipación de potencia (máxima) | 360W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo de montaje | Through Hole |
paquete de dispositivo del proveedor | TO-264AA (IXFK) |
paquete / caja | TO-264-3, TO-264AA |
Dedicados a superar sus expectativas. IChome: Servicio al cliente redefinido para la industria electrónica.