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IXTA1R6N50D2

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263

no conforme

IXTA1R6N50D2 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
50 $1.95000 $97.5
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 500 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 1.6A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 2.3Ohm @ 800mA, 0V
vgs(th) (máximo) @ id -
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 23.7 nC @ 5 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 645 pF @ 25 V
característica fet Depletion Mode
disipación de potencia (máxima) 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-263AA
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

SKP202
SKP202
$0 $/pedazo
NTHL125N65S3H
NTHL125N65S3H
$0 $/pedazo
BSP135L6327HTSA1
SI1416EDH-T1-BE3
BUK9624-55A,118
DMN2040U-7
DMPH4013SK3Q-13

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