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IXTH110N25T

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IXYS

MOSFET N-CH 250V 110A TO247

no conforme

IXTH110N25T Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $6.85000 $6.85
30 $5.61700 $168.51
120 $5.06900 $608.28
510 $4.24700 $2165.97
1,020 $3.83600 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 250 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 110A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 24mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4.5V @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 157 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 9400 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 694W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-247 (IXTH)
paquete / caja TO-247-3
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Número de pieza relacionado

SI7465DP-T1-GE3
IRF8010STRLPBF
IRFZ14STRLPBF
PMV88ENEAR
PMV88ENEAR
$0 $/pedazo
MMDF3N02HDR2
MMDF3N02HDR2
$0 $/pedazo
FDC637BNZ
FDC637BNZ
$0 $/pedazo
SI4800BDY-T1-E3
FDMA410NZT
FDMA410NZT
$0 $/pedazo
IRFP4137PBF
P3M12080K4

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