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IXTH16N20D2

IXTH16N20D2

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 16A TO247

compliant

IXTH16N20D2 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $12.36000 $12.36
10 $11.23500 $112.35
30 $10.39233 $311.7699
120 $9.54975 $1145.97
270 $8.70711 $2350.9197
510 $8.14537 $4154.1387
1,020 $7.49000 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 200 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 16A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) -
rds activado (máximo) @ id, vgs 73mOhm @ 8A, 0V
vgs(th) (máximo) @ id -
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 208 nC @ 5 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 5500 pF @ 25 V
característica fet Depletion Mode
disipación de potencia (máxima) 695W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-247 (IXTH)
paquete / caja TO-247-3
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Número de pieza relacionado

IRFS9N60APBF
IRFS9N60APBF
$0 $/pedazo
NTE2933
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$0 $/pedazo
NTMTS0D7N04CLTXG
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$0 $/pedazo
R6006PND3FRATL
NTR1P02LT1G
NTR1P02LT1G
$0 $/pedazo
SIHH14N65E-T1-GE3
IPS65R1K0CEAKMA2
NTMS4N01R2G
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$0 $/pedazo
SIA477EDJ-T1-GE3

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