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IXTN60N50L2

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B

SOT-23

no conforme

IXTN60N50L2 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $37.40000 $37.4
10 $34.59500 $345.95
30 $31.79000 $953.7
100 $29.54600 $2954.6
250 $27.11500 $6778.75
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 500 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 53A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 100mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 610 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 24000 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 735W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Chassis Mount
paquete de dispositivo del proveedor SOT-227B
paquete / caja SOT-227-4, miniBLOC
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Número de pieza relacionado

SI2306BDS-T1-E3
APT12060LVFRG
IXFN20N120P
IXFN20N120P
$0 $/pedazo
FDZ372NZ
NVHL082N65S3F
NVHL082N65S3F
$0 $/pedazo
STD3N40K3
STD3N40K3
$0 $/pedazo

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