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IXTQ36N50P

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 36A TO3P

no conforme

IXTQ36N50P Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $6.90000 $6.9
30 $5.65800 $169.74
120 $5.10600 $612.72
510 $4.27800 $2181.78
1,020 $3.86400 -
73 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 500 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 36A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 170mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 85 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 5500 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 540W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-3P
paquete / caja TO-3P-3, SC-65-3
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Número de pieza relacionado

PSMN2R9-25YLC,115
FDMS8027S
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$0 $/pedazo
FDAF69N25
FDP52N20
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$0 $/pedazo
NTMFS016N06CT1G
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$0 $/pedazo
SI7430DP-T1-GE3
NTLJF4156NTAG
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$0 $/pedazo
IPA60R180C7
STF15N80K5
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$0 $/pedazo

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