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IXTT80N20L

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 80A TO268

compliant

IXTT80N20L Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
30 $12.52467 $375.7401
40 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 200 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 80A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 32mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 180 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 6160 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 520W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-268AA
paquete / caja TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Número de pieza relacionado

STH240N75F3-6
STP9N65M2
STP9N65M2
$0 $/pedazo
SI7141DP-T1-GE3
SI3477DV-T1-GE3
HUF75333P3
IPB60R160C6ATMA1
DMP2039UFDE4-7
BUK6607-75C,118
BUK6607-75C,118
$0 $/pedazo
RTR025N03HZGTL

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