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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Active |
configuración impulsada | Half-Bridge |
tipo de canal | Independent |
Número de conductores | 2 |
tipo de puerta | IGBT, N-Channel MOSFET |
voltaje - suministro | 10V ~ 20V |
voltaje lógico - vil, vih | 0.7V, 2.3V |
Corriente - salida pico (fuente, sumidero) | 290mA, 600mA |
tipo de entrada | Inverting |
voltaje del lado alto - máximo (bootstrap) | 600 V |
tiempo de subida/bajada (típico) | 35ns, 35ns |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
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