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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| tipo feto | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| característica fet | Silicon Carbide (SiC) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 58A |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | - |
| vgs(th) (máximo) @ id | - |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | - |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | - |
| potencia - máx. | - |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete / caja | 9-PowerSMD |
| paquete de dispositivo del proveedor | 9-SMPD-B |
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