Welcome to ichome.com!

logo
Hogar

MCB60I1200TZ-TUB

MCB60I1200TZ-TUB

MCB60I1200TZ-TUB

IXYS

SICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA

compliant

MCB60I1200TZ-TUB Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $108.71933 $108.71933
500 $107.6321367 $53816.06835
1000 $106.5449434 $106544.9434
1500 $105.4577501 $158186.62515
2000 $104.3705568 $208741.1136
2500 $103.2833635 $258208.40875
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 1200 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 90A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 20V
rds activado (máximo) @ id, vgs 34mOhm @ 50A, 20V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 15mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 160 nC @ 20 V
vgs (máximo) +20V, -5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 2790 pF @ 1000 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-268AA (D3Pak-HV)
paquete / caja TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Error en la carga del PDF, puedes intentar abrirlo en una nueva ventana para acceder [Abierto], o haga clic para regresar

Número de pieza relacionado

SQS850EN-T1_BE3
HAT1096C-EL-E
HAT1096C-EL-E
$0 $/pedazo
DMTH43M8LPSQ-13
SI3433CDV-T1-BE3
DMN2053UW-13
G10P03
G10P03
$0 $/pedazo
MTY25N60E
MTY25N60E
$0 $/pedazo
DMTH3002LPS-13

Su socio confiable en electrónica

Dedicados a superar sus expectativas. IChome: Servicio al cliente redefinido para la industria electrónica.