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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Obsolete |
| tipo de transistor | NPN - Pre-Biased + Diode |
| corriente - colector (ic) (máx.) | 100 mA |
| Voltaje - ruptura colector-emisor (máximo) | 50 V |
| resistencia - base (r1) | 4.7 kOhms |
| resistencia - base del emisor (r2) | 4.7 kOhms |
| Ganancia de corriente continua (hfe) (mín.) @ ic, vce | 20 @ 10mA, 5V |
| saturación vce (máx.) @ ib, ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Corriente de corte del colector (máx.) | 500nA |
| frecuencia - transición | 250 MHz |
| potencia - máx. | 300 mW |
| tipo de montaje | Through Hole |
| paquete / caja | TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) |
| paquete de dispositivo del proveedor | TO-92S |
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