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SI3415A-TP

SI3415A-TP

SI3415A-TP

MOSFET P-CH 20V 4A SOT23

SOT-23

no conforme

SI3415A-TP Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.16150 -
6,000 $0.15300 -
15,000 $0.14450 -
30,000 $0.14025 -
36481 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 4A (Tj)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 2.5V, 4.5V
rds activado (máximo) @ id, vgs 45mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 900mV @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 4.5 V
vgs (máximo) ±10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 950 pF @ 10 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.4W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor SOT-23
paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número de pieza relacionado

IRFH5300TRPBF
SIHA12N50E-GE3
SPS01N60C3
APT75M50B2
VN0550N3-G
RM20P30D3
RM20P30D3
$0 $/pedazo
IXTH64N10L2
IXTH64N10L2
$0 $/pedazo
MSC040SMA120B4
FKI07117
FKI07117
$0 $/pedazo

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