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SI3439KDWA-TP

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DUAL N+P CHANNEL MOSFET,SOT-363

no conforme

SI3439KDWA-TP Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.43000 $0.43
500 $0.4257 $212.85
1000 $0.4214 $421.4
1500 $0.4171 $625.65
2000 $0.4128 $825.6
2500 $0.4085 $1021.25
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N and P-Channel
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 750mA, 600mA
rds activado (máximo) @ id, vgs 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 850mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1.1V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 0.8nC @ 4.5V, 0.86nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 33pF @ 16V, 40pF @ 16V
potencia - máx. 150mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquete de dispositivo del proveedor SOT-363
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2SK3495-AZ
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2SJ684-TL-E
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