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LND01K1-G

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MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5

SOT-23

no conforme

LND01K1-G Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.33166 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 9 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 330mA (Tj)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 0V
rds activado (máximo) @ id, vgs 1.4Ohm @ 100mA, 0V
vgs(th) (máximo) @ id -
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máximo) +0.6V, -12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 46 pF @ 5 V
característica fet Depletion Mode
disipación de potencia (máxima) 360mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -25°C ~ 125°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor SOT-23-5
paquete / caja SC-74A, SOT-753
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Número de pieza relacionado

FQD2N80TM
FQD2N80TM
$0 $/pedazo
NTD4959NHT4G
NTD4959NHT4G
$0 $/pedazo
DMN3028LQ-7
DMPH6250S-13
IRFW630BTM-FP001
IRFW630BTM-FP001
$0 $/pedazo
TN0610N3-G
IRFR1010ZTRPBF
STL8N6LF6AG
DMT67M8LSS-13
SI2319CDS-T1-BE3

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