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LND150N3-G

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MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

no conforme

LND150N3-G Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.46000 $0.46
25 $0.39160 $9.79
100 $0.36050 $36.05
290 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 500 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 30mA (Tj)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 0V
rds activado (máximo) @ id, vgs 1000Ohm @ 500µA, 0V
vgs(th) (máximo) @ id -
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 10 pF @ 25 V
característica fet Depletion Mode
disipación de potencia (máxima) 740mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-92-3
paquete / caja TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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Número de pieza relacionado

DMN2310UT-7
IXTA100N15X4
IXTA100N15X4
$0 $/pedazo
SPP03N60S5
BTS114AE3045A
2N7002KA
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$0 $/pedazo
IXFP16N60P3
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$0 $/pedazo
DMT3006LFDF-7
JDX5012
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$0 $/pedazo
SIA469DJ-T1-GE3

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