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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| tipo feto | N-Channel |
| tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 1200 V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 21A (Tc) |
| Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 20V |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 225mOhm @ 8A, 20V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 3.26V @ 500µA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 34 nC @ 20 V |
| vgs (máximo) | +23V, -10V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 510 pF @ 1000 V |
| característica fet | - |
| disipación de potencia (máxima) | 125W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| tipo de montaje | - |
| paquete de dispositivo del proveedor | - |
| paquete / caja | - |
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