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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| tipo feto | 4 N-Channel, Common Source |
| característica fet | Silicon Carbide (SiC) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 1200V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 150A |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 16mOhm @ 80A, 20V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 2.8V @ 2mA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 464nC @ 20V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 6040pF @ 1000V |
| potencia - máx. | 560W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| tipo de montaje | Chassis Mount |
| paquete / caja | Module |
| paquete de dispositivo del proveedor | - |
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