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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Active |
tipo feto | 4 N-Channel |
característica fet | Silicon Carbide (SiC) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 1200V (1.2kV) |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 55A (Tc) |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 50mOhm @ 40A, 20V |
vgs(th) (máximo) @ id | 2.7V @ 1mA |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 137nC @ 20V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 1990pF @ 1000V |
potencia - máx. | 245W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
tipo de montaje | Chassis Mount |
paquete / caja | Module |
paquete de dispositivo del proveedor | SP3F |
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