Welcome to ichome.com!
Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Active |
tipo feto | 6 N-Channel (Phase Leg) |
característica fet | Silicon Carbide (SiC) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 1700V (1.7kV) |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 122A (Tc) |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 22.5mOhm @ 60A, 20V |
vgs(th) (máximo) @ id | 3.2V @ 5mA |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 356nC @ 20V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 6600pF @ 1000V |
potencia - máx. | 588W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
tipo de montaje | Chassis Mount |
paquete / caja | Module |
paquete de dispositivo del proveedor | - |
Dedicados a superar sus expectativas. IChome: Servicio al cliente redefinido para la industria electrónica.