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APT20M22B2VRG

APT20M22B2VRG

APT20M22B2VRG

MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX

no conforme

APT20M22B2VRG Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 200 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 100A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 22mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 2.5mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 435 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 10200 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 520W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor T-MAX™ [B2]
paquete / caja TO-247-3 Variant
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STF11N52K3
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