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APT9F100S

APT9F100S

APT9F100S

MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK

no conforme

APT9F100S Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 1000 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 9A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 1.6Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 5V @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 2606 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 337W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor D3Pak
paquete / caja TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Número de pieza relacionado

IRFI9610G
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$0 $/pedazo
AUIRF3710ZS
IRFZ34EPBF
IRLU014N
FQPF6N15
FQPF6N15
$0 $/pedazo
IPB048N06LG
PH4025L,115
PH4025L,115
$0 $/pedazo
ZVN2110ASTOA

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