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APTC80H29T1G

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APTC80H29T1G

MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1

no conforme

APTC80H29T1G Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
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Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto 4 N-Channel (Half Bridge)
característica fet Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 800V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 15A
rds activado (máximo) @ id, vgs 290mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.9V @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 90nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 2254pF @ 25V
potencia - máx. 156W
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Chassis Mount
paquete / caja SP1
paquete de dispositivo del proveedor SP1
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