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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Obsolete |
| tipo feto | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| característica fet | Silicon Carbide (SiC) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 1000V (1kV) |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 36A |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 270mOhm @ 18A, 10V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 5V @ 5mA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 308nC @ 10V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 8700pF @ 25V |
| potencia - máx. | 694W |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montaje | Chassis Mount |
| paquete / caja | SP4 |
| paquete de dispositivo del proveedor | SP4 |
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