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APTM120H57FT3G

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MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3

no conforme

APTM120H57FT3G Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto 4 N-Channel (Half Bridge)
característica fet Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 1200V (1.2kV)
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 17A
rds activado (máximo) @ id, vgs 684mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 5V @ 2.5mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 187nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 5155pF @ 25V
potencia - máx. 390W
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Chassis Mount
paquete / caja SP3
paquete de dispositivo del proveedor SP3
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Número de pieza relacionado

FDC6000NZ
FDC6000NZ
$0 $/pedazo
GWM160-0055P3
GWM160-0055P3
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HUFA76413DK8T-F085P
HUFA76413DK8T-F085P
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MCH6606-TL-EX
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GWM120-0075P3-SL
GWM120-0075P3-SL
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