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2N7002KQBZ

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2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3

SOT-23

no conforme

2N7002KQBZ Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.40000 $0.4
500 $0.396 $198
1000 $0.392 $392
1500 $0.388 $582
2000 $0.384 $768
2500 $0.38 $950
2160 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 720mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 850mOhm @ 720mA, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.6V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 0.92 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 28 pF @ 30 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount, Wettable Flank
paquete de dispositivo del proveedor DFN1110D-3
paquete / caja 3-XDFN Exposed Pad
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FQI2P25TU
PSMN3R3-60PLQ
IRFD123PBF
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PMZ130UNEYL
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$0 $/pedazo
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SIR472ADP-T1-GE3
IXFX64N60P3
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NTMFS4941NT1G
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