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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
| corriente - colector (ic) (máx.) | 100 mA |
| Voltaje - ruptura colector-emisor (máximo) | 50 V |
| resistencia - base (r1) | 2.2 kOhms |
| resistencia - base del emisor (r2) | 47 kOhms |
| Ganancia de corriente continua (hfe) (mín.) @ ic, vce | 100 @ 10mA, 5V |
| saturación vce (máx.) @ ib, ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Corriente de corte del colector (máx.) | 100nA |
| frecuencia - transición | 230 MHz |
| potencia - máx. | 340 mW |
| tipo de montaje | Surface Mount, Wettable Flank |
| paquete / caja | 3-XDFN Exposed Pad |
| paquete de dispositivo del proveedor | DFN1110D-3 |
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