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PMPB95ENEAX

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MOSFET N-CH 80V 2.8A DFN2020MD-6

compliant

PMPB95ENEAX Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.19257 -
6,000 $0.18173 -
15,000 $0.17090 -
30,000 $0.16331 -
2246 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 80 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 2.8A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 105mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.7V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 14.9 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 504 pF @ 40 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor DFN2020MD-6
paquete / caja 6-UDFN Exposed Pad
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Número de pieza relacionado

IPI90R1K2C3XKSA1
EPC2302
EPC2302
$0 $/pedazo
SQD45P03-12_GE3
DMP2066LSS-13
IRFP150
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$0 $/pedazo
IPB027N10N5ATMA1
NVMFS5C604NLAFT1G
NVMFS5C604NLAFT1G
$0 $/pedazo
R6004ENJTL
R6004ENJTL
$0 $/pedazo
GA20JT12-263

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