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PMV130ENEA/DG/B2R

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MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB

compliant

PMV130ENEA/DG/B2R Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 40 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 2.1A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 120mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 3.6 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 170 pF @ 20 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-236AB
paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número de pieza relacionado

STF38N65M5
STF38N65M5
$0 $/pedazo
IRF7469
IRF7469
$0 $/pedazo
IRFR3607PBF
SI7790DP-T1-GE3
IRFP344
IRFP344
$0 $/pedazo
IRFB23N20D
IXTQ80N28T
IXTQ80N28T
$0 $/pedazo
IRF640,127
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$0 $/pedazo

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