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PMV20ENR

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MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB

compliant

PMV20ENR Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.13402 -
6,000 $0.12688 -
15,000 $0.11974 -
30,000 $0.11117 -
75,000 $0.10760 -
58794 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 6A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 21mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 10.8 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 435 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-236AB
paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número de pieza relacionado

STL100N10F7
BUK7Y2R0-40HX
IRLIZ34GPBF
IRLIZ34GPBF
$0 $/pedazo
XP234N0801TR-G
SQA401EEJ-T1_GE3
FCP7N60
FCP7N60
$0 $/pedazo
SSS4N60BT

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