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PMXB65UPEZ

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MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3

compliant

PMXB65UPEZ Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
5,000 $0.08920 -
10,000 $0.08040 -
25,000 $0.07600 -
50,000 $0.06852 -
125,000 $0.06632 -
142089 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 12 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 3.2A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 1.2V, 4.5V
rds activado (máximo) @ id, vgs 72mOhm @ 3.2A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 4.5 V
vgs (máximo) ±8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 634 pF @ 6 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor DFN1010D-3
paquete / caja 3-XDFN Exposed Pad
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Número de pieza relacionado

STW33N60M2
STW33N60M2
$0 $/pedazo
STU7N105K5
STU7N105K5
$0 $/pedazo
IRF710PBF-BE3
FDU6296
RRR040P03HZGTL
DI9405T
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$0 $/pedazo
STF6N60M2
STF6N60M2
$0 $/pedazo
NTB5412NT4G
NTB5412NT4G
$0 $/pedazo
CSD22206WT
CSD22206WT
$0 $/pedazo

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