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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Active |
tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
corriente - colector (ic) (máx.) | 100mA |
Voltaje - ruptura colector-emisor (máximo) | 50V |
resistencia - base (r1) | 2.2kOhms |
resistencia - base del emisor (r2) | 47kOhms |
Ganancia de corriente continua (hfe) (mín.) @ ic, vce | 100 @ 10mA, 5V |
saturación vce (máx.) @ ib, ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Corriente de corte del colector (máx.) | 100nA |
frecuencia - transición | 230MHz |
potencia - máx. | 480mW |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete / caja | 6-XFDFN Exposed Pad |
paquete de dispositivo del proveedor | DFN1412-6 |
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