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A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

compliant

A2G35S200-01SR3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
250 $123.43584 $30858.96
160 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo de transistor GaN HEMT
frecuencia 3.4GHz ~ 3.6GHz
ganar 16.1dB
prueba de voltaje 48 V
Corriente nominal (amperios) -
cifra de ruido -
corriente - prueba 291 mA
potencia - salida 180W
voltaje - nominal 125 V
paquete / caja NI-400S-2S
paquete de dispositivo del proveedor NI-400S-2S
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Número de pieza relacionado

CLF1G0035S-50
BLM8G0710S-30PBY
BLC8G27LS-100AVZ
BLP05M7200Y
BLP05M7200Y
$0 $/pedazo
MRFX035HR5
MRFX035HR5
$0 $/pedazo
BLF178P,112
BLF178P,112
$0 $/pedazo
LET20030C
LET20030C
$0 $/pedazo
MRFE6VP61K25HR5
MRFE6VP61K25HR5
$0 $/pedazo
STB60N06HDT4
STB60N06HDT4
$0 $/pedazo

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