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BUK6209-30C,118

BUK6209-30C,118

BUK6209-30C,118

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

compliant

BUK6209-30C,118 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.28487 -
5,000 $0.26522 -
9725 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 50A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) -
rds activado (máximo) @ id, vgs 9.8mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.8V @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 30.5 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1760 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 80W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor DPAK
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

IXTP1R4N100P
IXTP1R4N100P
$0 $/pedazo
RM80N30DN
RM80N30DN
$0 $/pedazo
IRFW720BTMNL
STL140N4LLF5
STF28N60M2
STF28N60M2
$0 $/pedazo
SI3443CDV-T1-GE3
SI7326DN-T1-E3
BSZ088N03LSG

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