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BUK653R2-55C,127

BUK653R2-55C,127

BUK653R2-55C,127

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB

compliant

BUK653R2-55C,127 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $1.24000 $1.24
500 $1.2276 $613.8
1000 $1.2152 $1215.2
1500 $1.2028 $1804.2
2000 $1.1904 $2380.8
2500 $1.178 $2945
3726 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 55 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 120A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 3.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.8V @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 258 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 15300 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 306W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
paquete / caja TO-220-3
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Número de pieza relacionado

STP14NM50N
STP14NM50N
$0 $/pedazo
IRL60HS118
SQP120N10-3M8_GE3
NTMTS4D3N15MC
NTMTS4D3N15MC
$0 $/pedazo
DN3525N8-G
SIRC06DP-T1-GE3
FDA15N65

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