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BUK764R2-80E,118

BUK764R2-80E,118

BUK764R2-80E,118

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

compliant

BUK764R2-80E,118 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
4,800 $1.13685 -
338 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 80 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 120A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 4.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 136 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 10426 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 324W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor D2PAK
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

DMN3028LQ-13
DMP4015SSS-13
IXFL210N30P3
IXFL210N30P3
$0 $/pedazo
RSH065N06TB1
DMN2005K-7
PMZ320UPEYL
PMZ320UPEYL
$0 $/pedazo

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