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BUK9E1R9-40E,127

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BUK9E1R9-40E,127

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 40V I2PAK

no conforme

BUK9E1R9-40E,127 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.87000 $0.87
500 $0.8613 $430.65
1000 $0.8526 $852.6
1500 $0.8439 $1265.85
2000 $0.8352 $1670.4
2500 $0.8265 $2066.25
5048 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 40 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 120A (Tj)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) -
rds activado (máximo) @ id, vgs -
vgs(th) (máximo) @ id -
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máximo) -
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
característica fet -
disipación de potencia (máxima) -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor I2PAK
paquete / caja TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Número de pieza relacionado

NTLUS3192PZTBG
NTLUS3192PZTBG
$0 $/pedazo
FDWS86369-F085
FDWS86369-F085
$0 $/pedazo
SI4835DDY-T1-GE3
PMN34LN,135
PMN34LN,135
$0 $/pedazo
STI400N4F6
STI400N4F6
$0 $/pedazo
SIHB24N65EF-GE3
SIHH11N60EF-T1-GE3
VP3203N3-G
SUM110N10-09-E3

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