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NX2020P1115

NX2020P1115

NX2020P1115

NXP USA Inc.

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

compliant

NX2020P1115 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.07000 $0.07
500 $0.0693 $34.65
1000 $0.0686 $68.6
1500 $0.0679 $101.85
2000 $0.0672 $134.4
2500 $0.0665 $166.25
262000 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto -
tecnología -
voltaje de drenaje a fuente (vdss) -
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C -
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) -
rds activado (máximo) @ id, vgs -
vgs(th) (máximo) @ id -
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máximo) -
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
característica fet -
disipación de potencia (máxima) -
Temperatura de funcionamiento -
tipo de montaje -
paquete de dispositivo del proveedor -
paquete / caja -
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Número de pieza relacionado

SQR40030ER_GE3
IXFQ8N85X
IXFQ8N85X
$0 $/pedazo
IRFR220TRPBF-BE3
NVMYS003N08LHTWG
NVMYS003N08LHTWG
$0 $/pedazo
C3M0075120D-A
C3M0075120D-A
$0 $/pedazo
DMN3016LFDF-7-90

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