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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Active |
tipo de transistor | PNP |
corriente - colector (ic) (máx.) | 2 A |
Voltaje - ruptura colector-emisor (máximo) | 30 V |
saturación vce (máx.) @ ib, ic | 210mV @ 50mA, 1A |
Corriente de corte del colector (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente continua (hfe) (mín.) @ ic, vce | 60 @ 2A, 2V |
potencia - máx. | 325 mW |
frecuencia - transición | 170MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete / caja | 3-XDFN Exposed Pad |
paquete de dispositivo del proveedor | DFN1010D-3 |
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