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PH1955L,115

PH1955L,115

PH1955L,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 55V 40A LFPAK56

compliant

PH1955L,115 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 55 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 40A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 17.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2V @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 18 nC @ 5 V
vgs (máximo) ±15V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1992 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor LFPAK56, Power-SO8
paquete / caja SC-100, SOT-669
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Número de pieza relacionado

IRF540STRL
IRF540STRL
$0 $/pedazo
2SK4209
2SK4209
$0 $/pedazo
IXFC20N80P
IXFC20N80P
$0 $/pedazo
IPB65R099C6ATMA1
FQPF65N06
FQPF65N06
$0 $/pedazo
PSMN3R2-30YLC,115
APT50N60JCU2
IPSH6N03LB G
SPI80N08S2-07
2N7002-13-F-79

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