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PMWD19UN,518

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NXP USA Inc.

MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

no conforme

PMWD19UN,518 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
5,000 $0.33600 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 5.6A
rds activado (máximo) @ id, vgs 23mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 700mV @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 28nC @ 5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1478pF @ 10V
potencia - máx. 2.3W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
paquete de dispositivo del proveedor 8-TSSOP
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Número de pieza relacionado

IPI60R380C6
SI4539ADY-T1-GE3
AUIRF7309Q
MP6M14TCR
MP6M14TCR
$0 $/pedazo
BUK98150-55/CU
SP8K33FRATB

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