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PMWD26UN,518

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NXP USA Inc.

MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP

no conforme

PMWD26UN,518 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
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Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 7.8A
rds activado (máximo) @ id, vgs 30mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 700mV @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 23.6nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1366pF @ 16V
potencia - máx. 3.1W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
paquete de dispositivo del proveedor 8-TSSOP
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Número de pieza relacionado

SI6981DQ-T1-GE3
IRF7311TR
VT6J1T2CR
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$0 $/pedazo
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APTMC120AM08CD3AG
SH8M70TB1
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