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2SJ656

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onsemi

MOSFET P-CH 100V 18A TO220ML

2SJ656 Ficha de datos

no conforme

2SJ656 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 18A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 75.5mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id -
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 74 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 4200 pF @ 20 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 2W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-220ML
paquete / caja TO-220-3 Full Pack
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Número de pieza relacionado

SI4483EDY-T1-GE3
NTJS3151PT2
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DKI10751
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IXTP110N055T
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